产品介绍
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Texas Instruments
系列 FemtoFET
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 76 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 1.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 156 pF @ 6 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 3-PICOSTAR
封装/外壳 3-XFDFN
产品参数
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 76 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 1.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 156 pF @ 6 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 3-PICOSTAR
封装/外壳 3-XFDFN
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