TDM3458采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)和低栅电荷。该器件适用于负载开关或PWM应用。
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 60A(Tc) | |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | |
| 漏源导通电阻 | 5.5mΩ @ 15A,10V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 29.8W(Tc) | |
| 类型 | N沟道 |
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