TDM3536采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)和低栅电荷。该设备适用于负载开关或PWM应用。
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
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| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V 250uA |
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| 连续漏极电流(Id) | 70A |
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| 功率(Pd) | 31.3W |
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| 漏源电压(Vdss) | 30V |
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| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.0042Ω 12A,10V |
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| 类型 | N沟道 |
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