TDM3405采用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)和低栅电荷。 这器件适合作为负载开关或PWM中使用应用程序。
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
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漏源电压(Vdss) | 40V |
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连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 17A |
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栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA |
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漏源导通电阻 | 9.4mΩ @ 25A,10V |
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最大功率耗散(Ta=25°C) | 5W |
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类型 | P沟道 |